Acasă > Produse > Modul Jammer de semnal > Modul Jammer de semnal anti drone > Sistem RF cu amplificator de putere cu bandă C ultra-largă de 4-8 GHz, 50 W
Sistem RF cu amplificator de putere cu bandă C ultra-largă de 4-8 GHz, 50 W
  • Sistem RF cu amplificator de putere cu bandă C ultra-largă de 4-8 GHz, 50 WSistem RF cu amplificator de putere cu bandă C ultra-largă de 4-8 GHz, 50 W
  • Sistem RF cu amplificator de putere cu bandă C ultra-largă de 4-8 GHz, 50 WSistem RF cu amplificator de putere cu bandă C ultra-largă de 4-8 GHz, 50 W
  • Sistem RF cu amplificator de putere cu bandă C ultra-largă de 4-8 GHz, 50 WSistem RF cu amplificator de putere cu bandă C ultra-largă de 4-8 GHz, 50 W
  • Sistem RF cu amplificator de putere cu bandă C ultra-largă de 4-8 GHz, 50 WSistem RF cu amplificator de putere cu bandă C ultra-largă de 4-8 GHz, 50 W

Sistem RF cu amplificator de putere cu bandă C ultra-largă de 4-8 GHz, 50 W

Acest amplificator de putere în bandă largă de 50 W este un modul RF de înaltă performanță conceput pentru aplicații care necesită putere de ieșire robustă în intervalul de frecvență de la 4GHz la 8GHz. Utilizând tehnologia avansată GaN (nitrură de galiu), acesta oferă densitate mare de putere, eficiență excelentă și liniaritate fiabilă pe o lățime de bandă instantanee largă. Amplificatorul este proiectat pentru stabilitate, durabilitate și performanță constantă în medii solicitante.

Trimite o anchetă

Descriere produs

Caracteristici cheie

Performanță în bandă largă: funcționează fără probleme pe întregul spectru de la 4GHz la 8GHz (banda C), fără a fi nevoie de schimbarea benzii.

Putere de ieșire mare: Oferă o putere de ieșire saturată tipică de minimum 50 de wați (47 dBm) pe bandă.

Câștig ridicat: prezintă un câștig tipic de semnal mic de 50 dB (minimum), asigurând o amplificare eficientă a semnalului de la surse de putere redusă.

Planeitate excelentă a câștigului: Menține o planeitate superioară a câștigului de ± 1,5 dB pe întregul interval de frecvență pentru o performanță uniformă.

Eficiență ridicată: Încorporează un design de înaltă eficiență, obținând în mod obișnuit 30% Power Added Efficiency (PAE), reducând sarcina termică și consumul de curent continuu.

Performanță liniară robustă: oferă un punct de compresie ridicat de 1 dB (OP1dB) de obicei > 47 dBm, care acceptă atât amplificarea liniară, cât și saturată pentru diferite scheme de modulație.

Protecție și control integrat: Include caracteristici complete de siguranță: protecție inversă tensiune, oprire la supratemperatură și protecție la suprasarcină la ieșire / VSWR. Interfață analogică standard pentru controlul polarizării, activarea/dezactivarea (TTL) și monitorizarea stării.

Management termic: Proiectat cu un sistem eficient de răcire a plăcii de bază pentru a asigura o funcționare fiabilă în condiții de încărcare maximă. Interval de temperatură a carcasei de funcționare: -40°C până la +85°C.

Construcție robustă: Găzduit într-un pachet metalic robust, sigilat ermetic, pentru o ecranare superioară și rezistență la mediu, potrivit pentru aplicații militare, aerospațiale și industriale.

Nu.

Descriere

Simbol

Min

Tip

Max

Unitate

Remarcă

1. 

Frecvența de operare

BW

4000

 

8000

MHz

 

2. 

Putere de intrare

Pin

 

0

 

dBm

 

3. 

Putere de ieșire CW

Psat

47

48.5

49.5

dBm

Undă continuă

4. 

Câștig de putere

Gp

47

 

49.5

dBm

@ Pin=0 dBm

5. 

Planeitatea câștigului de putere

△Gp

 

±1,5

 

dB

@ Pin=0 dBm

6. 

Câștig de semnal mic

G

49

50.5

52

dB

@ Pin=-5dBm

7. 

Planeitate mică a câștigului de semnal

△G

 

±2

 

dB

@ Pin=-5dBm

8. 

Pierdere de returnare a intrării

S11

 

-15

 

dB

 

9. 

Tensiune de operare

Vdc

28

28

32

V

 

10. 

Consumul curent

A

 

6

8

A

@ Pout=50~90W

11. 

Temperatura de lucru

 

-40℃~+50℃

 

 

12. 

Intrare conector RF

 

SMA, Femeie

 

 

13. 

Ieșire conector RF

 

SMA, Femeie

 

 

14. 

Greutate

 

 

0.439

0.50

Kg

 

15. 

Lungime*Latime*Inaltime

 

134*80*22

mm

 

16. 

Putere de intrare

PinMax

-5

 

5

dBm

 

17. 

Definiția interfeței

(7W2 feminin)

VDD 

A1

Sol

 

GND

A2

28Vdc

 

Sensul curent

1

Tensiune analogică în raport cu curentul modulului @ 100mV/A

 

Temp Sense

2

Tensiune analogică în raport cu temperatura modulului @ 10mV/℃

 

Permite

3

Activare amplificator

Activare amplificator: TTL Logic High (3,3 V)

(Tras intern-jos)

GND

4

Sol

 

 

Dimensiunea de ansamblu

 

Nota:

 

1、 Dimensiunile totale sunt doar pentru referință;

2、 Dimensiunea poate fi mărită sau redusă în mod corespunzător în funcție de cerințele clientului;

3、 Pozițiile interfeței de intrare, interfeței de ieșire și interfeței de alimentare pot fi modificate în funcție de nevoile reale ale clienților;

Hot Tags: Sistem RF cu amplificator de putere cu bandă C ultra-largă 4-8 GHz 50W, China, Producători, Furnizori, Comerț cu ridicata, Fabrică, Personalizat, Mărci, Calitate, 1 An Garanție
Categorie aferentă
Trimite o anchetă
Vă rugăm să nu ezitați să trimiteți întrebarea dvs. în formularul de mai jos. Vă vom răspunde în 24 de ore.
X
Folosim cookie-uri pentru a vă oferi o experiență de navigare mai bună, pentru a analiza traficul site-ului și pentru a personaliza conținutul. Prin utilizarea acestui site, sunteți de acord cu utilizarea cookie-urilor. Politica de confidențialitate
Respinge Accepta